Photolithography를 이용한 pattern형성
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작성일 23-05-11 16:51
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1.test(실험) 제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
-PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자
-Developer, Stripper, Cr etchant
순서
극성變化(변화)형, 해중합형, 가교형, 중합형
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다. 대부분 g-line, i-line resist의 경우가 이에 해당한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 ->DI water ->gas로 drying)
구성 constituent 수
용해도 變化(변화)
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
Photolithography를 이용한 pattern형성,Photolithography,pattern
다. 용해억제형 포토레지스트(Dissolution Inhibition Resist)는 감광작용을 하는 PAC(Photo Active Compound) 및 physical image를 형성하는 polymer 2constituent 계로 구성되며 점도조절을 위한 solvent, 색소(dye)가 추가로 첨가된다.
6.experiment(실험) 결과 및 고찰
3.test(실험) 기구, 장비, 재료 :
Positive형, Negative형
X-ray
Download : Photolithography를 이용.hwp( 25 )
ArF(193nm), EUV(13nm), E-beam, Ion Beam,
-Cr 증착된 기판
적층수
단층, 다층
2.test(실험) 목적 : Photolithography에 사용하는 각 공definition 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다
g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm),
Photolithography를 이용한 pattern형성
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
설명
1constituent , 2constituent , 3constituent
1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성 2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
Positive 레지스트는 노광지역의 resist가 현상공정에서 제거되고, 비노광지역의 resist가 최종적인 etching mask 역할을 하며, negative 레지스트는 그 반대이다. 3.실험기구, 장비, 재료 : -Cr 증착된 기판 -Developer, Stripper, Cr etchant
광원
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
레포트 > 자연과학계열
반응 형태
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다.
광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다.
